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日本電子JSM-7200F 熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡

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JSM-7200F的電子光學(xué)系統(tǒng)應(yīng)用了日本電子旗艦機(jī)-JSM-7800F Prime采用的浸沒(méi)式肖特基電子槍技術(shù)，標(biāo)配TTLS系統(tǒng)（Through-The-Lens System），無(wú)論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統(tǒng)機(jī)型有了很大的提升。此外，保證300nA的max束流，能兼顧高分辨率觀察和高通量分析，具有充實(shí)的自動(dòng)功能和易用性，是多功能場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡。
＜特點(diǎn)＞
JSM-7200F的主要特點(diǎn)有：應(yīng)用了浸沒(méi)式肖特基電子槍技術(shù)的電子光學(xué)系統(tǒng)；利用GB（Gentle Beam 模式）和各種檢測(cè)器在低加速電壓下能進(jìn)行高分辨觀察和選擇信號(hào)的TTLS系統(tǒng)（Through-The-Lens System）；電磁場(chǎng)疊加的混合式物鏡。
浸沒(méi)式肖特基電子槍
浸沒(méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍為日本電子的專利技術(shù)，通過(guò)對(duì)電子槍和低像差聚光鏡進(jìn)行優(yōu)化，能有效利用從電子槍中發(fā)射的電子，即使電子束流很大也能獲得很細(xì)的束斑。因而可以實(shí)現(xiàn)高通量分析（EDS、WDS面分析、EBSD分析等）。
TTLS（through-the-lens系統(tǒng)）
TTLS（through-the-lens系統(tǒng)）是利用GB(Gentle Beam 模式）在低加速電壓下能進(jìn)行高分辨率觀察和信號(hào)選擇的系統(tǒng)。 利用GB（Gentle Beam 模式）通過(guò)給樣品加以偏壓，對(duì)入射電子有減速、對(duì)樣品中發(fā)射出的電子有加速作用，即使在低加速電壓（入射電壓）下，也能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。
此外，利用安裝在TTLS的能量過(guò)濾器過(guò)濾電壓，可以調(diào)節(jié)二次電子的檢測(cè)量。這樣在低加速電壓的條件下，用高位檢測(cè)器（UED）就可以只獲取來(lái)自樣品淺表面的大角度背散射電子。因過(guò)濾電壓用UED沒(méi)有檢測(cè)出的低能量電子，可以用高位二次電子檢測(cè)器（USD，選配件）檢測(cè)出來(lái)，因此JSM-7200F能同時(shí)獲取二次電子像和背散射電子像。
混合式物鏡（電磁場(chǎng)疊加）
JSM-7200F的物鏡采用了本公司新開發(fā)的混合式透鏡。
這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場(chǎng)疊加型物鏡，比傳統(tǒng)的out-lens像差小，能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性，所以可以觀察和分析磁性材料樣品。

型號(hào)

JSM-7200F

JSM-7200FLV

分辨率

1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV)

1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV)，1.8nm (30kV,  LV )

放大倍率

×10～×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960pixels display);

加速電壓

0.01kV～30kV

束流

1pA～300nA

自動(dòng)光闌角控制透鏡ACL

內(nèi)置

大景深模式

內(nèi)置

檢測(cè)器

高位檢測(cè)器(UED)、低位檢測(cè)器(LED)

樣品臺(tái)

5軸馬達(dá)驅(qū)動(dòng)樣品臺(tái)

樣品移動(dòng)范圍

X：70mm  Y：50mm  Z：2mm～41mm傾斜－5～＋70°  旋轉(zhuǎn)360°

低真空范圍

-

10pa～300pa


  • 應(yīng)用實(shí)例

  • ◇ 利用混合式物鏡、GB（Gentle Beam 模式）進(jìn)行觀察的實(shí)例 

  • 利用低像差的混合式物鏡和GB 模式，即使對(duì)不導(dǎo)電樣品也能在低的加速電壓下進(jìn)行高分辨率成像。

  • 圖片1-1-1.jpg

  • 樣品: 介孔二氧化硅 

  • ◇ 使用高位檢測(cè)器（ＵＥＤ）、能量過(guò)濾器進(jìn)行觀察的實(shí)例

  • 下圖是利用UED在低加速電壓條件下獲得的背散射電子像。由于是大角度散射電子成像，成份信息非常豐富，但加速電壓為0.8kV比在5kV時(shí)的測(cè)試，能獲得更細(xì)微的淺表面信息。象這樣在低加速電壓下要獲取樣品淺表面的背散射電子成份像，不僅需要高位檢測(cè)器，還需要用來(lái)去除二次電子的能量過(guò)濾器。
    圖片2-1.jpg

  • 樣品：鍍金表面,   能量過(guò)濾器： -250 V